ASML, TSMC: Tăng 40% năng suất chip với mặt nạ 12 inch, nhưng chờ đến 2033

ASML và TSMC hợp tác đột phá cho sản xuất chip

ASML Holding N.V. (NASDAQ: ASML) và Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (NYSE: TSM) vừa công bố sáng kiến hợp tác nhằm cải thiện hiệu quả kinh tế trong sản xuất chip và dẫn đầu xu hướng chuyển đổi sang mặt nạ quang khắc Extreme Ultraviolet (EUV) khổ lớn hơn. Mục tiêu là chuyển đổi từ mặt nạ 6 inch hiện tại sang mặt nạ 12 inch, giúp tăng năng suất nhà máy, giảm chi phí sản xuất chip và loại bỏ các hạn chế về ghép nối.

Lợi ích và thách thức của công nghệ EUV khổ lớn

Theo Marco Pieters, Giám đốc công nghệ của ASML, việc triển khai thành công công nghệ này sẽ giúp năng suất của các hệ thống tăng tới 40%. Sáng kiến này không chỉ cải thiện hiệu quả kinh tế cho nền tảng quang khắc mới nhất của ASML mà còn cung cấp cho các khách hàng như TSMC một công cụ sản xuất chip tiên tiến. Tuy nhiên, thách thức lớn nhất nằm ở lộ trình triển khai còn nhiều năm nữa.

Công nghệ High-NA EUV có khả năng in các chi tiết nhỏ hơn, nhưng thiết kế quang học hiện tại của ASML có trường phơi sáng nhỏ hơn. Do đó, việc sản xuất các chip lớn hơn đòi hỏi các mẫu ghép nối phức tạp hơn, làm giảm lợi nhuận. Giải pháp là sử dụng mặt nạ lớn hơn để loại bỏ các hạn chế về ghép nối và giảm chi phí sản xuất.

Christophe Fouquet, Chủ tịch kiêm CEO của ASML, cho biết: "Chúng tôi kỳ vọng việc áp dụng High NA EUV sẽ tăng dần theo lộ trình mở rộng quy mô thiết bị, ban đầu sử dụng mặt nạ 6 inch hiện tại và sau đó được hỗ trợ thêm bởi mặt nạ 12 inch, cho phép tăng năng suất máy quét và giúp ngành đáp ứng nhu cầu về chip nhỏ hơn, nhanh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn."

Đối với ASML, mức tăng năng suất 40% có thể dẫn đến việc áp dụng rộng rãi hơn và mang lại cho TSMC cơ hội cải thiện lợi tức đầu tư sản xuất. Tuy nhiên, kịch bản tiêu cực có thể xảy ra do việc áp dụng chậm trễ và rào cản vốn đầu tư cao.

Trước đây, có lo ngại rằng TSMC đã trì hoãn việc áp dụng các máy High-NA EUV trị giá 400 triệu USD của ASML do vấn đề chi phí. Tuy nhiên, công ty hiện đã công bố ý định sử dụng High NA EUV cho các nút tiến trình tiên tiến bắt đầu từ năm 2030. Việc chuyển đổi sang mặt nạ 12 inch sẽ cho phép hệ thống High-NA sản xuất chip lớn hơn trong khi loại bỏ các hạn chế về ghép nối. Tuy nhiên, do TSMC dự định áp dụng công nghệ mới từ năm 2030, và sáng kiến mặt nạ lớn hơn nhắm đến lộ trình năm 2031 và sẵn sàng sản xuất vào năm 2033, TSMC sẽ phải sử dụng định dạng mặt nạ hiện có trước.

Nhận định cho nhà đầu tư Việt Nam: Sự hợp tác giữa ASML và TSMC cho thấy tiềm năng to lớn của công nghệ quang khắc EUV thế hệ mới trong việc định hình tương lai ngành bán dẫn. Mặc dù thời điểm áp dụng công nghệ mặt nạ 12 inch còn xa, các nhà đầu tư Việt Nam quan tâm đến lĩnh vực công nghệ cao nên theo dõi sát sao tiến độ phát triển và các thông báo tiếp theo từ hai gã khổng lồ này. Sự thành công của sáng kiến này có thể mở ra những cơ hội đầu tư mới trong chuỗi cung ứng bán dẫn toàn cầu, đặc biệt khi Việt Nam đang nỗ lực thu hút đầu tư vào ngành công nghiệp này.